XH-100R红外探伤仪, 我公司自主研发的硅锭红外探伤设备。该设备能够对太阳能硅块进行快速、无接触的缺陷检测。检测的缺陷类型包括：裂纹和空洞、SiC杂质、 微晶聚集结构、金属沉淀。用户在计算机中可以轻松对硅块进行探伤分析。

  系统采用非接触、无损伤的原理，测量硅中杂质，具有高灵敏度；检测数据重现性高；具有实时测量和所见即所得的实时图像采集功能，用户在软件中可以对硅块进行探伤分析。

  ●光源: 红外光源并可调整光源强度；

  ●测试速度: 每块<1分钟

  ●测试尺寸: 最大尺寸400mm×210mm×210mm

  ●分辨率:1000×2600像素

  XH-308B测厚仪采用电容式测量方法对硅片厚度进行精密测量。为保证系统测量的精准性，测试台采用上下双传感器探头进行推拉式测量，该测量方法对设备测量平台的平直度没有任何要求，保证在硅片静止、左右移动、上下移动时均能精准测量。主机部分利用强大的控制软件对采集的数据进行精准计算和分析。
  ●非接触测量，避免对硅片造成损伤。
  ●采用高精密的电容探头，保证测量数据的精准性。
  ●采用高性能采集卡保证数据采集的准确及稳定性。
  ●采用高性能主机配以强大的控制软件对数据进行精准计算和分析。
  ●厚度范围: 100μm~500μm
  ●厚度分辨率: 0.1μm
  ●厚度重复度:≤ 1μm
  ●TTV范围: 0.00μm～300.00μm
  ●TTV分辨率: 0.1μm
  ●TTV重复度: ≤ 1μm
  ●设备尺寸:360*300*75mm
  ●使用环境温度: 10℃ 至 50℃
  ●存储环境温度: -10℃ 至 75℃
  ●电源电压: 5v
  ●硅片规格: 方片：125x125mm、156x156mm ，圆片：3″、4″、5″、6″、8″

 

  HCT55-100 高低温真空腔探针系统主要用于为被测芯片提供一个低温或者高温的变温测量环境，以便测量分析温度变化时芯片性能参数的变化。腔体内被测芯片在真空环境中。
  ●载片台:直径2" ，具有Guard保护功能，温控稳定时间小于30分钟
  ●载片台温度范围: 80k-475k
  ●观察窗: 直径40mm，样品到显微镜物镜最小距离8mm
  ●真空腔真空度: < 5X10-4Torr，配隔振水平安装底座
  ●针座三维调节范围: ±5mm（X、Y、Z）
  ●针座分辨率: 5μm，多探针座具有同时升、降（接触/分离0.66mm）功能设计
  ●探针接头: 三同轴Triaxial Tubular-2.0插头连接，具有Guard保护功能，适合fA级测试，50欧姆传输阻抗
  ●控温仪: 四通道，可同时对样品台、防辐射屏和探针臂进行控制和监视
  ●显微镜调节机构: 多维度调节，XY方向± 45mm，Z方向30mm，整体后仰角20 º可调，显微镜的前后倾角为30度
  ●光学观测系统: 三目体视显微镜（分辨率小于5μm）、同轴灯和环形灯及电源、配接130万像素彩色CCD、20″

高精密三维磁吸针座,交叉滚子均采用米思米产品,确保精度和使用寿命
  ●结构:交叉滚珠导轨，微分头结构
  ●分辨率精度:10μm
  ●可调范围 x: ±6.5mm | y: ±6.5mm | z: ±6.5mm
  ●可开关磁力座

高精密三维磁吸针座,交叉滚子均采用米思米产品,确保精度和使用寿命
  ●结构:交叉滚珠导轨，微分头结构
  ●分辨率精度:10μm
  ●可调范围 x: ±6.5mm | y: ±6.5mm | z: ±6.5mm
  ●可开关磁力座

●支持屏蔽线以及屏蔽套管

进口屏蔽线,进口三同轴屏蔽头,确保抗干扰,可靠运行

●进口屏蔽线
  ●进口屏蔽头
  ●热焊接,确保有效屏蔽层有效衔接